Контроль структуры и материалов светодиода

Перейти к: навигация, поиск

Автор: ООО «Оптоган. Новые технологии света»

Статья связана с ООО «Оптоган. Новые технологии света»

A0af30a87e22acf936405186bf84a4e6.gif

Любой светодиод имеет в своей основе кристалл, в котором при протекании тока излучается свет. При этом структура и качество выращенного кристалла влияют на то, как он будет излучать свет. Наличие внутренних дефектов, таких как микротрещины и дислокации (искажение правильной кристаллической решетки), ухудшают качество излучения.

Чтобы получить кристалл с наименьшим количеством (плотностью) дефектов, необходимо тщательно подбирать условия роста. В светодиодной промышленности используют пленки нитрида галлия (GaN), которые выращивают методом эпитаксии на подложке из сапфира в специальном реакторе. Идеальный бездефектный рост требует совпадения параметров кристаллической решетки подложки и пленки. К сожалению, на практике это труднодостижимо, т.к. использовать GaN в качестве подложки при эпитаксиальном росте слишком дорого. У сапфира, который как материал – намного дешевле нитрида галлия, кристаллическая решетка имеет отличие порядка 14% от GaN, что приводит к высокой плотности линейных дефектов – дислокаций, кроме того, в процессе формирования и роста в реакторе, в пленке возникают механические напряжения, высокий уровень которых может привести к появлению трещин.

Читать полностью: Контроль и структура материала

+1
Value of this field #1
+15 people
+1
Value of this field #2
NAME1, NAME2
+15 people
Поиск единиц
Найдите единицу, которую хотите предложить.
Дублирование единицы
Создание новой единицы на основе
Название
Основные действия
Необходимые умения
Необходимые умения